近日,我司又一项发明专利获美国专利局正式授权(专利号:US 11,004,632 B1),这是我司第7项海外专利授权,也是我司第29项发明专利。该专利主要涉及一种新型纵向磁场触头结构,有效解决了大容量纵向磁场触头结构电阻大、温升高的难题。此技术已应用于24kV-6300A-90kA规格真空灭弧室,进一步巩固了我司在真空灭弧室方面的技术先进地位。